FQA15N70
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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54+ | $5.60 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3P |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 560mOhm @ 7.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3630 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 700 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 15A (Tc) |
FQA15N70 Einzelheiten PDF [English] | FQA15N70 PDF - EN.pdf |
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2024/04/23
2024/01/23
2024/04/29
2024/05/15
FQA15N70Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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