SI3481DV-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI3481DV-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 5.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.14W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
detaillierte Beschreibung | P-Channel 30V 4A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
SI3481DV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI3481DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
VISHAY TSOP-6
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
IC POE CNTRL 4/8 PORT 20QFN
MOSFET P-CH 30V 4A 6TSOP
IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
IC POE PSE 64PORT 24QFN
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
IC POE CNTRL 4/8 PORT 20QFN
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
IC POE CNTRL 24-48 PORT 24QFN
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
KIT EVAL 8PORT SI3480/52/SI3500
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
IC POE PSE 64PORT 24QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI3481DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|