SI7958DP-T1-E3
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Vishay Siliconix SI7958DP-T1-E3
| Artikelnummer: | SI7958DP-T1-E3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
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- Versandinformationen
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-
Vishay Siliconix SI7958DP-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7958DP-T1-E3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 11.3A, 10V Leistung - max 1.4W Verpackung / Gehäuse PowerPAK® SO-8 Dual Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.2A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer SI7958 SI7958DP-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] SI7958DP-T1-E3 PDF - EN.pdf -
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