Name: Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3900DV-T1-GE3
Price: 0.441 USD
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3

Artikelnummer:

SI3900DV-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Datenblätte:

1.SI3900DV-T1-GE3.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI3900DV-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI3900DV-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	6-TSOP
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Leistung - max	830mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI3900
SI3900DV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI3900DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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