BSM25GB120DN2
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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9+ | $34.73 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 25A |
Supplier Device-Gehäuse | Module |
Serie | - |
Leistung - max | 200 W |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
NTC-Thermistor | No |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 1.65 nF @ 25 V |
Eingang | Standard |
IGBT-Typ | - |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 800 µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 38 A |
Konfiguration | Half Bridge |
BSM25GB120DN2 Einzelheiten PDF [English] | BSM25GB120DN2 PDF - EN.pdf |
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
SIEMENS 2016+RoHS
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
2024/04/29
2024/04/10
2024/07/2
2024/01/25
BSM25GB120DN2Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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