NVTJD4001NT1G
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onsemi NVTJD4001NT1G
| Artikelnummer: | NVTJD4001NT1G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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-
onsemi NVTJD4001NT1G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NVTJD4001NT1G.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363 Serie Automotive, AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 10mA, 4V Leistung - max 272mW Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 33pF @ 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.3nC @ 5V FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 250mA Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer NVTJD4001 NVTJD4001NT1G Einzelheiten PDF [English] NVTJD4001NT1G PDF - EN.pdf -
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