Die Linie 1 in Pyeongtaek, die 14,4 Milliarden Dollar kostete, ist für NAND bestimmt. Zeile 2 ist für DRAM.
Anfang dieser Woche unterzeichnete Samsung eine Absichtserklärung mit Chinas NRDC, um auf den Mangel an DRAM zu reagieren, der die Rentabilität der chinesischen Smartphone-Hersteller beeinträchtigt hat.
"Wir planen, unter Berücksichtigung des Halbleitermarktes über Produktionsfaktoren, Investitionsmengen und die Zeit zu entscheiden, den Betrieb aufzunehmen", sagt Samsung. "Wir erwarten, dass wir schnell auf die sich ständig ändernde Nachfrage nach Speicherhalbleitern reagieren können."
"Samsung Electronics hat die Investition in Pyeongtaek Line 2 lange diskutiert", sagte Samsung.