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Samsung plant, bis Juni dieses Jahres in den 11nm 1c Dram Chip-Entwicklungsgenerat der 11nm 1c-DRAM-Chip-Entwicklung zu wechseln

Laut Business Korea hat Samsung kürzlich ein neues Ziel eingesetzt, um die Entwicklung seiner DRAM-Chips der sechsten Generation 1C-DRAM-Chips basierend auf dem 11nm-Prozessknoten bis Juni dieses Jahres abzuschließen. Das Unternehmen hat ein eigenes F & E-Personal gebeten, die Entwicklung von 1b-DRAM-Chips basierend auf dem 12nm-Prozessknoten zu stoppen oder zu überspringen, um eine technologische Führung über Wettbewerber zu erweitern und aufrechtzuerhalten, einschließlich SK-Hynix- und Micron-Technologie, sagte Quellen.

Natürlich ist dies nicht das erste Mal, dass wir gesehen haben, dass Samsung eine ähnliche Entscheidung treffen, nachdem der südkoreanische Elektronikriesen 28nm-DRAM aufgegeben hatte, und wechselte auf 25 nm Dram-Produktion über den Vorstand.

Industrieexperten wiesen jedoch darauf hin, dass die Produktion von 11nm DRAM nicht einfach ist. Da es eine fortschrittliche Technologie als Unterstützung erfordert, ist Samsung derzeit hinter seinen beiden großen Wettbewerbern in der Massenproduktion von 1A-DRAM (4. Generation-Speicherprodukte auf dem 10-Nanometer-Level).

Unter intensivem Druck heißt es, Samsung soll einen Weg finden, um seine genannten Ziele zu erreichen.