Welcome,{$name}!

/ Ausloggen
Deutsch
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикAfrikaansIsiXhosaisiZululietuviųMaoriKongeriketМонголулсO'zbekTiếng ViệtहिंदीاردوKurdîCatalàBosnaEuskera‎العربيةفارسیCorsaChicheŵaעִבְרִיתLatviešuHausaБеларусьአማርኛRepublika e ShqipërisëEesti Vabariikíslenskaမြန်မာМакедонскиLëtzebuergeschსაქართველოCambodiaPilipinoAzərbaycanພາສາລາວবাংলা ভাষারپښتوmalaɡasʲКыргыз тилиAyitiҚазақшаSamoaසිංහලภาษาไทยУкраїнаKiswahiliCрпскиGalegoनेपालीSesothoТоҷикӣTürk diliગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Zuhause > Nachrichten > Samsung Electronics bricht den Boden im New Chip F & D Center, plant, bis 2028 15 Milliarden US -Dollar zu investieren

Samsung Electronics bricht den Boden im New Chip F & D Center, plant, bis 2028 15 Milliarden US -Dollar zu investieren


19. August (Reuters) - Samsung Electronics sagte am Freitag, dass es in einem neuen Halbleiterforschungs- und Entwicklungszentrum (F & E) in Südkorea vorgelegt wurde. Bis 2028 plant es, etwa 20 Billionen Won (15 Milliarden US -Dollar) bis 2028 zu investieren, um Chips -Technologie -Führung zu steigern.

Samsung Electronics sagte, dass die neue Einrichtung in Giheung südlich von Seoul Forschung zu den Vor- und Chip-Prozessen und -ausrüstung der nächsten Generation sowie der neuen Technologieentwicklung basierend auf einer langfristigen Roadmap leiten werde, heißt es in dem Bericht.

"Samsung Electronics versucht, die Einschränkungen der Halbleiterskalierung zu überwinden", heißt es in einer Erklärung.

Dem Bericht zufolge nahm Lee Jae-Yong, der stellvertretende Vorsitzende von Samsung Electronics, an der bahnbrechenden Zeremonie teil.

"Wir müssen unsere Tradition vorbeugender Investitionen fortsetzen und uns auf Technologie konzentrieren", sagte Lee bei der Zeremonie.

Samsung Electronics sagte, Lee traf sich später mit Mitarbeitern des Chip -Geschäfts und traf sich individuell mit Führungskräften, um Möglichkeiten zu erörtern, um die Technologie zur Erweiterung der Halbleiterführung zu sichern.