STMicroelectronics unterzeichnet Lizenz- und Kooperationsvereinbarung für LDMOS-Technologie von Inno

STMicroelectronics (NYSE: STM), ein globaler Halbleiterführer, der Kunden aus dem gesamten Spektrum der Elektronikanwendungen bedient, gab heute bekannt, dass es eine Vereinbarung über LDMOS unterzeichnet hat^[1] HF-Power-Technologie von Innogration Technologies, einem Fabless-Halbleiterunternehmen mit Hauptsitz in Suzhou, China, das sich auf die Entwicklung und Herstellung von HF-Leistungshalbleiterbauelementen, -modulen und -subsystembaugruppen spezialisiert hat.

LDMOS-Bauelemente, die eine kurze Leitungslänge mit einer hohen Durchbruchspannung kombinieren, eignen sich gut für HF-Leistungsverstärker, wo sie in Basisstationen für drahtlose Kommunikationssysteme sowie in Leistungsverstärkern für kommerzielle und industrielle Systeme verwendet werden können. Die Vereinbarung mit Innogration erweitert das Anwendungsspektrum, das ST mit der LDMOS-Technologie adressieren kann.

Bedingungen der Vereinbarungen wurden nicht bekannt gegeben.

Über STMicroelectronics
ST ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller, der intelligente und energieeffiziente Produkte und Lösungen anbietet, die die Elektronik in den Mittelpunkt des Alltags bringen. Die Produkte von ST sind heute überall zu finden. Zusammen mit unseren Kunden ermöglichen wir intelligentere Fahr- und intelligente Fabriken, Städte und Häuser sowie die nächste Generation von mobilen Geräten und Geräten des Internets der Dinge. Indem man mehr von der Technologie holt, um mehr aus dem Leben zu holen, steht ST für Leben.erweitert.

Im Jahr 2017 belief sich der Nettoumsatz des Unternehmens auf 8,35 Milliarden US-Dollar und diente mehr als 100.000 Kunden weltweit. Weitere Informationen finden Sie unter www.st.com.

^[1]LDMOS - lateral diffundierter Metalloxidhalbleiter