NXP errichtet in den USA eine neue Anlage zur Herstellung von Galliumnitrid-5G-Chips

Laut Taiwan Media Economic Daily gab NXP Semiconductors (NXP) aus den Niederlanden am 29. bekannt, dass es in Arizona, USA, eine neue Fabrik zur Herstellung von Chips für 5G-Telekommunikationsgeräte eröffnet hat. In dieser Fabrik in Chandler, Arizona, werden Galliumnitrid-Hochfrequenzchips für drahtlose 5G-Datengeräte hergestellt.

Galliumnitrid ist ein Ersatz für Silizium und wird als Halbleitermaterial der dritten Generation angesehen. Die erste Generation von Halbleitermaterialien ist Silizium, die zweite Generation ist Galliumarsenid und die dritte Generation enthält neben Galliumnitrid auch Siliziumkarbid. Galliumnitrid ist eines der Schlüsselmaterialien in 5G-Netzen, da es die in 5G-Netzen verwendeten hohen Frequenzen verarbeiten kann und gleichzeitig ein geringeres Leistungsniveau als andere Chipmaterialien aufweist und weniger Platz benötigt.

Die Massenproduktion von GaN-Chips ist immer noch ein Nischenversuch, wobei der größte Teil des Angebots von NXP, SkyWorks Solutions und Qorvo stammt.

NXP Semiconductors gab bekannt, dass in dieser neuen Anlage 6-Zoll-Galliumnitrid-Wafer hergestellt werden, die nur halb so groß sind wie die Wafer, die in den meisten herkömmlichen Silizium-Computerchips verwendet werden. Solche Größen sind jedoch bei alternativen Materialien üblich.

Es wird berichtet, dass das NXP-Werk in Arizona über ein Forschungs- und Entwicklungszentrum verfügen wird, um Ingenieuren bei der Beschleunigung der Entwicklung und Patentanmeldung von Galliumnitrid-Halbleitern zu helfen.

NXP sagte, dass erwartet wird, dass die Anlage vor Ende des Jahres vollständig geöffnet sein wird.

Bei dieser Gelegenheit diskutiert die US-Regierung die Einführung eines Anreizplans in Höhe von mehreren zehn Milliarden Dollar, damit mehr Chiphersteller ihre Produktionslinien zurück in die USA verlagern können.