Infineon bringt die sechste Generation der CoolSiC ™ Schottky-Dioden 650 V für schnelles Schalten au

München, 26. September 2017 - Die Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) stellt die CoolSiC ™ Schottky-Diode 650 V G6 vor. Diese neueste Entwicklung der CoolSiC-Diodenfamilie basiert auf den charakteristischen Eigenschaften des G5 und bietet Zuverlässigkeit, Qualität und erhöhte Effizienz. Die CoolSiC G6 Dioden sind eine perfekte Ergänzung zu den 600 V und 650 V CoolMOS ™ 7 Familien. Sie zielen auf aktuelle und zukünftige Anwendungen in Server und PC-Leistung, Telekom-Geräteleistung, und PV-Wechselrichter.

Die CoolSiC Schottky-Diode 650 V G6 hat ein neues Layout, eine neue Zellstruktur und ein neues, proprietäres Schottky-Metallsystem. Das Ergebnis ist ein Branchen-Benchmark V _F (1,25 V) und ein Q _c x V _F Gütezahl (FOM), die 17 Prozent niedriger als die vorherige Generation ist. Darüber hinaus nutzt die neue G6-Diode die starken Eigenschaften des SiC-Temperaturverhaltens und keine Sperrverzögerungsladung.

Das Design des Geräts bietet eine verbesserte Effizienz bei allen Lastbedingungen sowie eine höhere Systemleistungsdichte. Die CoolSiC-Schottky-Diode 650 V G6 zeichnet sich daher durch reduzierte Kühlanforderungen, erhöhte Systemzuverlässigkeit und extrem schnelles Schalten aus. Das neue Gerät ist die SiC-Diodengeneration mit dem besten Preis-Leistungs-Verhältnis.

Verfügbarkeit

Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 ist ab sofort verfügbar. Weitere Informationen finden Sie unter www.infineon.com/coolsic-g6.