GaN-auf-SiC-Transistoren für S-Band-Radar

IGT2731M130 ist ein 50-Ohm-angepasster Hochleistungs-GaN-HEMT-Transistor, der bei Pulsbedingungen von 300 Mikrosekunden / 10% Tastverhältnis ein Minimum von 130 W Spitzenimpulsleistung, eine Verstärkung von 13,5 dB und eine Draineffizienz von 55% liefert. Es arbeitet bei dem momentanen Betriebsfrequenzbereich von 2,7 bis 3,1 GHz und ist ein Verarmungsmodusgerät. Es erfordert eine negative Gate-Vorspannung und Bias-Sequenzierung.

IGT3135M135 arbeitet im momentanen Betriebsfrequenzbereich von 3,1 bis 3,5 GHz und liefert bis zu 135 W Spitzenimpulsleistung. Dieser Transistor ist auch ein 50-Ohm-angepasster Hochleistungs-GaN-HEMT-Transistor und ist ebenfalls eine Verarmungstyp-Vorrichtung, die eine negative Gate-Vorspannung und Bias-Sequenzierung benötigt.

Beide Produkte sind im Paket PL44A1 von Integra enthalten, die Größe beträgt 0,83 cm (20,32 mm) und die Länge 10,16 mm (0,400 Zoll). Ohne Ohr sind sie 0,400 Zoll (10,16 mm) breit und 0,400 Zoll (10,16 mm) lang. Die Einheiten werden über eine Chip- und Drahttechnologie mit Goldmetallisierung in einem Metallgehäuse untergebracht und mit einem Keramik-Epoxid-Deckel verschlossen.