EPC kündigt eGaN für automobiles Design an

Zwei der eGaN-FETs des Unternehmens, EPC2202 und EPC2203, wurden Umwelt- und Vorspannungs-Tests unterzogen, einschließlich Feuchtigkeitstests mit Vorspannung (H3TRB), Hochtemperatur-Sperrspannung (HTRB), Hochtemperatur-Gate-Vorspannung (HTGB) und Temperaturzyklen. Das Unternehmen berichtet, dass das Wafer-Level-Chip-Scale-Paket (WLCS) auch die gleichen Teststandards wie herkömmliche Packstücke erfüllt. Dies, so das Unternehmen, zeigt keine Kompromisse bei der Zuverlässigkeit der Verpackung.

Der EPC2202 ist ein 80 V, 16 mΩ Anreicherungs-FET mit einem Pulsstrom von 75 A in einem 2,1 x 1,6 mm Chip-Scale-Gehäuse. Der EPC2203 ist ein 80 V, 73 mΩ Teil mit einem gepulsten Nennstrom von 18 A in einem 0,9 x 0,9 mm Chip-Scale-Gehäuse. Die eGaN-FETs sind kleiner und bis zu 10 bis 100 mal schneller als ihre Silizium-MOSFET-Gegenstücke, behauptet das Unternehmen. Sie sind für Anwendungen wie Lidar, Hochleistungsscheinwerfer, 48V bis 12VDC / DC-Wandler und High-Fidelity-Infotainment-Systeme konzipiert.

Die eGaN-Geräte werden in Einrichtungen hergestellt, die nach dem Automotive Quality Management System Standard IATF 16949 zertifiziert sind. Das Unternehmen plant die Einführung weiterer Transistoren und ICs, die autonomes Fahren ermöglichen und die Wirtschaftlichkeit und Sicherheit auf Basis der eGaN-Technologie verbessern.

Beide FETs sind jetzt von Digi-Key erhältlich.